1.洁净室内温湿度的控制。

洁净空间的温湿度主要根据工艺要求确定，但在满足工艺要求的情况下，应考虑人的舒适性。随着空气清洁度要求的提高，工艺对温湿度的要求越来越严格。

未来将列出具体工艺的温度要求，但作为一般原则，由于加工精度越来越精细，对温度波动范围的要求越来越小。例如，在大型集成电路的光刻曝光过程中，对玻璃和硅片的热膨胀系数的要求越来越小。

硅片直径100um，温度升高1度，导致0.24um线性膨胀。因此，必须有±0.1度恒温，湿度值一般较低，因为出汗会污染产品，特别是害怕钠的半导体车间，不得超过25度。

湿度过高会导致更多的问题。当相对湿度超过55%时，冷却水管壁会结露。如果发生在精密装置或电路中，会造成各种事故。当相对湿度为50%时，很容易生锈。此外，当湿度过高时，附着在硅片表面的灰尘会通过空气中的水分子化学吸附在表面，难以去除。

相对湿度越高，附着力越难去除。但当相对湿度低于30%时，由于静电的作用，颗粒容易吸附在表面，大量半导体器件容易穿透。硅片生产的温度范围为35-45%。

2.洁净室气压规定。

对于大多数清洁空间，为了防止外部污染，内部压力（静压）高于外部压力（静压）。压差的维护一般应符合以下原则：

1.洁净空间的压力高于非洁净空间。

2.清洁度高的空间压力高于相邻清洁度低的空间压力。

3.相通洁净室之间的门应开到洁净度高的房间。

压差的维持取决于新风量，可以补偿压差下间隙泄漏的风量。因此，压差的物理意义是通过洁净室各种间隙泄漏（或渗透）的阻力。